微波在半导体行业的应用

去SU-8胶：
用于去除SU-8这样的厚光组层； 还可以用于各向同性材料蚀刻，例如Si、SiO2、SiOxNy、W、Mo等；不受离子腐蚀的纯化学腐蚀；集成RPS源（遥控/自由基等离子源）；等离子区域水冷；基板超低热负荷；腐蚀速率高（很大范围内不低于200μm/h）；基板尺寸可达460mm x 460mm；不会腐蚀金属，例如：Ni、Ni/Fe，Au；Cu等；仅会对Si或硅的混合物例如SiO2、Si3N4等造成微量伤害； 

等离子解封装：
为微芯片的解封装提供优化方案；解封装时间短；在适当的工艺条件下，短时间解封装；高去除率：每小时不低于0.2mm，包括无机填充物；对金、铜、铝和钯等材料无损害；对线路无损害（如：Cu和Pd-Cu等材料）；轻微的芯片钝化（选择率＞500:1）；解封装时间：激光剥蚀后1-3小时；集成高效水冷微波 RPS源；快速，仅用自由基进行各向同性腐蚀； - 样品区域无离子、无辐射、无电场；适用于晶圆尺寸高达300mm。

硅刻蚀：
用于快速均匀硅蚀刻，利用定向的氟自由基束中短寿命且高活跃度的F-自由基；腐蚀率：200mm晶圆腐蚀率为3μm/min，300mm晶圆腐蚀率为2.5μm/min；腐蚀率受胶带材质限制，无胶带情况下可达5μm/min；TTV(总厚度变化)：300mm晶圆，硅的厚度从10μm减少至1μm；通过同步旋转和氟的方位角位移来调节氟自由基束的均匀性；可选脉冲等离子模式和直流等离子模式；采用基于CF4的化学蚀刻用于含铜等金属的硅刻蚀；具有可调真空区域的真空吸盘可处理100/150/200/300mm尺寸的晶圆；真空吸盘可控制温度；刻蚀超薄晶圆可以使用锯架。

常压等离子：
紧凑式等离子源；大气压强下操作；适用于废弃分解（VOC&FOC）；最高6kW微波输出功率 气体温度：中心温度＞3000K -气体：空气、VOC气体（卤化烷）