用于快速均匀硅蚀刻
利用定向的氟自由基束中短寿命且高活跃度的F-自由基
腐蚀率：200mm晶圆腐蚀率为3μm/min, 300mm晶圆腐蚀率为2.5μm/min
腐蚀率受胶带材质限制，无胶带情况下可达5μm/min
TTV(总厚度变化)：300mm晶圆，硅的厚度从10μm减少至1μm
通过同步旋转和氟的方位角位移来调节氟自由基束的均匀性
可选脉冲等离子模式和直流等离子模式
采用基于CF4的化学蚀刻用于含铜等金属的硅刻蚀
具有可调真空区域的真空吸盘可处理100/150/200/300mm尺寸的晶圆
真空吸盘可控制温度
刻蚀超薄晶圆可以使用锯架
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